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NAND flash

176-layer NAND flash memory

美光在176层3D NAND领域的领先地位是端到端存储技术创新的关键基础.

176 layers of innovation

美光的176层NAND是众多行业技术人员工具箱中必不可少的强大构建块. 利用这些好处提高你的竞争优势:

Unique technology

替代栅极结构结合了电荷陷阱和阵列下cmos (CuA)设计.

Enhanced performance

读写速度快25%1 意味着更快的启动和更高的应用程序响应能力.

广泛的应用程序和部署选项

Wide selection of interfaces, capacities, form factors, TLC或QLC提供了理想的选择, automotive, client, 消费者和数据中心应用程序.

176层:从客户端到云的创新

美光过渡到下一代3D NAND替代栅技术

通过减少单元间电容耦合问题和减轻金属控制门的电阻, 美光的替代栅(RG) NAND是尖端技术的一部分, 提供快速的大容量数据存储系统, 平稳优越的性能.

当前NAND和RG NAND之间的物理差异

Featured resources

1. 比较基于美光的128层替代栅NAND.

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